水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200

水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200

水銀CV測量SEMILAB全自動汞CV測量MCV-2200

全自動汞CV測量裝置MCV-2200, MCV-2500,水銀CV測量裝置MCV系列MCV-530、MCV-530L,彈性金屬探頭CV測量裝置FCV-3000,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 300-SL,Cn-CV 310/210 CV/IV,Cn-CV 330/230 CV/IV,Cn-CV 350 CV/IV,CV-1500,自動壽命測量裝置WT系列WT-2200, WT-2500, WT-3000

產品介紹

CV測量裝置 Mercury probe MCV是一種可以評估半導體硅晶片和化合物半導體SiC的電氣特性以及MOS器件的氧化膜特性的裝置。在一般的CV測量設備中，poly-Si、Al等被氣相沉積在晶圓上作為柵電極，形成MOS和肖特基結構后評估CV/IV特性。可以很容易地檢查,而不需要MCV 自動映射系統對用于外延硅制造和半導體前端處理的未圖案化晶圓執行汞 CV 測量。

在 MCV-2200 和 MCV-2500 中，晶圓被機器人從盒式磁帶或開放式 FOUP 裝載到映射臺上。在執行電氣特性測試時，測試晶圓被移動到預編程地圖上的每個位置。測試數據以各種格式存儲和報告。

MCV-530 系統允許使用汞探針對介電層和外延層進行快速可靠的測試，使其成為研發和小批量生產等應用的理想選擇。

MCV-530/530L 是手動加載設備，但具有與自動 MCV-2200/2500 產品相同的測量功能。

FCV-3000 高級植入計量系統可快速測量與電介質相關的電氣參數，例如柵極氧化物和超淺植入物（例如源極/漏極）。該方法在很寬的劑量范圍內表現出出色的靈敏度。

FCV 系統使用小型彈性探針在電介質表面形成臨時柵極。內置模式識別系統檢測劃線測試區域。
彈性探頭直徑小于 30 µm 用于介電表征，大于 200 µm 用于表面電阻率測量，并且不會損壞介電表面。
除了彈性探針外，還有用于1針測量的硬金屬探針和用于2針測量的硬金屬探針對，以實現更精確的定位。

Cn-CV 300 SL 系統是先進的非接觸式電氣計量系統，將 Semilab SDI 的微觀和宏觀 Corona-Kelvin 方法集成在一個平臺中，提供先進的它可以支持研究和開發以及苛刻的大批量生產環境。 

Cn-CV 310/210 CV/IV 系統基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于監測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。

Cn-CV 330/230 CV/IV 系統基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于監測晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。

Cn-CV 350 CV/IV 系統基于Corona-Kelvin的 方法提供 Semilab SDI 高級 CV/IV 測量，用于介電和界面特性的非接觸成像。

CV-1500 是用于高級界面和介電測量的低成本入門級平臺（基于 Semilab SDI 的 Corona-Kelvin 方法）。手動加載和單點測量功能適用于研發和實驗室環境。

自動壽命測量裝置WT系列:WT 系列是一個功能*的獨立測量平臺，能夠執行許多不同的半導體材料表征。基本系統包括執行表征所需的所有間接功能，包括電源、計算機、操作軟件和 XY 測量臺。