HPGe輻射探測(cè)器電子設(shè)備

參考價(jià): 面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

型號(hào)
品牌
所在地上海
更新時(shí)間2026-04-09

伽瑞（上海）科技有限公司

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
入駐年限第4年
實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
產(chǎn)品數(shù)量806
人氣值187170

產(chǎn)品標(biāo)簽

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

伽瑞（上海）科技有限公司（Karray(Shanghai) Technology Co.,Ltd）成立于2021年，是一家專業(yè)從事核輻射儀器裝備、放射影像質(zhì)控設(shè)備和模體的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的企業(yè)，為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和全面的解決方案。
主營(yíng)產(chǎn)品：輻射檢測(cè)儀、射線檢測(cè)儀、個(gè)人劑量報(bào)警儀、輻射儀、輻射報(bào)警儀、區(qū)域輻射監(jiān)測(cè)儀、表面污染檢測(cè)儀、中子劑量率儀、X光機(jī)多功能質(zhì)量檢測(cè)儀、劑量面積乘積儀、KAP儀、線對(duì)卡、高分辨率測(cè)試卡、CT性能檢測(cè)模體、低對(duì)比度檢測(cè)模體、DSA檢測(cè)模體、牙科模體、固體水、核磁共振模體、乳腺模體、CT劑量模體等。

目前公司涉及的國(guó)外品牌：美國(guó)Ortec公司，美國(guó)CIRS公司，美國(guó)Capintec公司，美國(guó)Thermo Fisher公司，美國(guó)Fluke公司，美國(guó)HI-Q公司，美國(guó)MEDCOM公司，美國(guó)Gamma公司，美國(guó)Durridge公司，法國(guó)Mirion集團(tuán)，德國(guó)Berthold公司，德國(guó)IBA公司，德國(guó)PTW公司，瑞典RTI公司、德國(guó)MED公司，德國(guó)SARAD公司，美國(guó)模體實(shí)驗(yàn)室、烏克蘭SPPE公司等。
我公司秉承“誠(chéng)信為本，服務(wù)至上，技術(shù)爭(zhēng)先，品質(zhì)*”的企業(yè)宗旨，為您提供優(yōu)質(zhì)的放射影像質(zhì)控設(shè)備、質(zhì)控模體、核輻射測(cè)量?jī)x器、輻射防護(hù)與放射性監(jiān)測(cè)的解決方案以及滿意的售后服務(wù)。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

ORTEC輻射探測(cè)器具有多種電子設(shè)計(jì)特性，提高了性能和安全性

HPGe輻射探測(cè)器電子設(shè)備產(chǎn)品詳情

ORTEC輻射探測(cè)器具有多種電子設(shè)計(jì)特性，提高了性能和安全性。這些特性包括：

前端電子設(shè)備 +

前端電子設(shè)備包括輸入場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）和電荷靈敏前置放大器的反饋元件。反饋元件包括電容器和電阻器（無源反饋）或晶體管（有源反饋）。具有有源反饋的前置放大器，如晶體管復(fù)位前置放大器（TRP），用于實(shí)現(xiàn)超高計(jì)數(shù)率應(yīng)用。

如果探測(cè)器溫度開始上升，位于低溫真空外殼中的溫度傳感元件將自動(dòng)關(guān)閉HV電源。前端電子設(shè)備封裝在低溫冷卻外殼中，以限度地減少電子噪聲。輸入FET和反饋元件在~120 K下都具有的噪聲特性。

圖片：探測(cè)器和低溫冷卻鍺輻射探測(cè)器中前置放大器“前端”的簡(jiǎn)化電子圖。反饋元件可以是電阻器或電子開關(guān)，每當(dāng)達(dá)到給定的閾值電壓時(shí)，該電子開關(guān)就將FET柵極電壓重置為零。

Simplified Electronic Diagram showing detector and front end of preamplifier in a cryogenically cooled germanium detector.

前置放大器 +

除前端電子設(shè)備外，密封的HV濾波器和電荷靈敏的混合前置放大器電路都是位于PopTop封裝內(nèi)輻射探測(cè)器組件的后面。它們位于真空室外，處于室溫下。

Exploded View of ORTEC PopTop Radiation Detector Capsule

Exploded View of ORTEC PopTop Radiation Detector Capsule

HV濾波器的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)可確保將電壓逐漸施加到輻射探測(cè)器上。這可以保護(hù)FET免受電壓尖峰的影響。冷態(tài)時(shí)，ORTEC的任何新型HPGe輻射探測(cè)器都可以接通全偏置電壓，而不會(huì)有損壞FET的風(fēng)險(xiǎn)。

關(guān)于輻射探測(cè)器前置放大器的一些額外說明：所有前置放大器都為“電荷靈敏”型，都具有低溫冷卻的“前端”，以實(shí)現(xiàn)的電子噪聲和出色的能量分辨率。使用了三種不同的反饋機(jī)制：br />

和見的是“電阻反饋”（參見前端電子設(shè)備）。在這種情況下，反饋電路包含并聯(lián)的電阻器和電容器。
對(duì)于高計(jì)數(shù)率（>75 kcps）下的同軸輻射探測(cè)器，反饋電路用結(jié)型晶體管取代反饋電阻，當(dāng)輸入FET柵極電壓超過某一閾值電壓時(shí)，將接通結(jié)型晶體管。這將輸入FET柵極電壓重置為零。這種類型的前置放大器稱為晶體管復(fù)位前置放大器（TRP）。
對(duì)于小型輻射探測(cè)器，電子設(shè)備的分辨率低于50 keV，反饋電路包含一個(gè)LED，它通過類似于TRP的機(jī)制使用光（非電子開關(guān)）將輸入FET柵極的電壓重置為零。這種前置放大器[可通過特殊訂單訂購(gòu)的脈沖光學(xué)反饋（POF）]可實(shí)現(xiàn)超低噪聲性能，因?yàn)榉答侂娮锜o窮大（與電阻反饋相反），并且輸入FET柵極上的電容不會(huì)因結(jié)型晶體管（與TRP一樣）的集電極對(duì)地電容的增加而增加。高反饋電阻和低電容是降低噪聲性能的關(guān)鍵。

A250系列ORTEC電阻反饋前置放大器僅需1瓦功率。這使得前置放大器非常適用于要求苛刻的便攜式應(yīng)用（如安全保障）。晶體管復(fù)位前置放大器（“附加”選件）需要約1.8瓦的功率。

輻射探測(cè)器中前置放大器的能量率。
前置放大器類型	探測(cè)器類型	能量率（MeV 秒^-1）
電阻反饋	GEM、GMX GLP (25、32、36 mm) GLP (6、10、16 mm)	145,000 4,000 2,200
晶體管復(fù)位（-PL選件）	GEM、GMX	1,000,000
脈沖光學(xué)反饋（特殊訂單POF選件）	GLP (6、10、16 mm)	4,000

自動(dòng)高壓關(guān)閉 +

如果系統(tǒng)在偏壓開啟的情況下預(yù)熱，則自動(dòng)HV關(guān)閉功能可保護(hù)輸入FET和關(guān)鍵輻射探測(cè)器表面。ORTEC使用安裝座上的熱敏電阻而不是輻射探測(cè)器元件本身來感測(cè)預(yù)熱的開始。

電纜包 +
除非在訂購(gòu)時(shí)另行指定，否則每個(gè)ORTEC輻射探測(cè)器都配有帶單獨(dú)直插式連接器的3英尺長(zhǎng)電纜束：
- 信號(hào)輸出93-ΩBNC
- 定時(shí)輸出93-ΩBNC
- 測(cè)試輸入93-ΩBNC
- 高壓輸入75-Ω公頭
- 前置放大器電源9針D母頭
提供各導(dǎo)線的10英尺長(zhǎng)配套電纜包，用于連接到支持電子系統(tǒng)。

SMART-1和SMART-INTERFACE智能探測(cè)器 +
SMART-1是GEM、GMX、GLP、SGD和Profile系列輻射探測(cè)器的選件。該選件將微處理器控制的模塊與輻射探測(cè)器組件集成在一起。該模塊通過MCA的RS-232鏈路控制，為輻射探測(cè)器元件提供HV偏壓，并提供以下輻射探測(cè)器功能的狀態(tài)信息：
- 前置放大器±12、±24 V
- 探測(cè)器元件溫度
- 探測(cè)器高壓開/關(guān)/設(shè)置/讀取
- 探測(cè)器過載狀態(tài)
- 探測(cè)器關(guān)閉狀態(tài)
- 探測(cè)器序列號(hào)（只讀）
- 探測(cè)器驗(yàn)證碼（讀/寫）

關(guān)鍵詞：電容器連接器

熱門產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱	參考價(jià)	地區(qū)	公司名稱	更新時(shí)間
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前置放大器 +

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電纜包 +

SMART-1和SMART-INTERFACE智能探測(cè)器 +

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