EPEE i200等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

設(shè)備特點

•單腔雙片架構(gòu)：在單個反應(yīng)腔內(nèi)實現(xiàn)兩片晶圓的同步工藝處理，既保留了單腔環(huán)境穩(wěn)定、工藝參數(shù)易精準控制的優(yōu)勢（保障薄膜質(zhì)量一致性），又通過雙片并行提升了單位時間的產(chǎn)能，兼顧 “高性能” 與 “高產(chǎn)能”，適用于從批量生產(chǎn)到精密工藝研發(fā)的多種場景；

•高效傳輸系統(tǒng)與智能軟件調(diào)度算法：傳輸系統(tǒng)采用高精度機械結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)晶圓在不同模塊間的平穩(wěn)、快速轉(zhuǎn)移，避免因傳輸晃動導(dǎo)致的晶圓損傷或工藝偏差；搭配的智能軟件調(diào)度算法能根據(jù)實時工藝需求、腔室占用情況優(yōu)化晶圓傳輸路徑與工藝順序，減少等待時間，提升設(shè)備整體運行效率，同時確保多批次工藝的穩(wěn)定性；

•高效遠程等離子體清洗系統(tǒng)：通過遠程生成等離子體對反應(yīng)腔內(nèi)部進行清洗，可有效去除腔室殘留的薄膜碎屑、反應(yīng)副產(chǎn)物等雜質(zhì)，避免雜質(zhì)對后續(xù)沉積工藝造成污染；該系統(tǒng)清洗效率高且不損傷腔室結(jié)構(gòu)，能長期維持腔室潔凈度，配合嚴格的顆粒監(jiān)控機制，實現(xiàn)良好的顆?？刂疲Ｕ媳∧こ练e質(zhì)量；

•靈活的沉積工藝支持：可同時兼容氣態(tài)硅烷（如 SiH?）和液態(tài)正硅酸乙酯（TEOS）兩類沉積原料對應(yīng)的工藝 —— 氣態(tài)硅烷工藝適合制備高純度、高致密性的薄膜，液態(tài) TEOS 工藝則在薄膜臺階覆蓋性、工藝穩(wěn)定性上有優(yōu)勢；兩種工藝的兼容讓設(shè)備能根據(jù)不同薄膜的性能要求（如絕緣性、致密性、覆蓋性）靈活選擇方案，滿足多樣化應(yīng)用需求。

產(chǎn)品應(yīng)用

•晶圓尺寸適配：明確兼容 6 英寸與 8 英寸兩種主流晶圓規(guī)格，無需對設(shè)備進行大規(guī)模機械改造或參數(shù)重構(gòu)即可實現(xiàn)不同尺寸晶圓的工藝切換，降低了產(chǎn)線在應(yīng)對不同訂單需求時的設(shè)備調(diào)整成本，提升了產(chǎn)線靈活性；

•適用材料覆蓋：除核心的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅外，還可沉積非晶硅（用于薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)）、非晶碳（用于硬掩膜、保護層）、PSG（常用于晶圓表面鈍化、摻雜源）、BPSG（多用于多層金屬互連間的絕緣層），覆蓋半導(dǎo)體制造中多種關(guān)鍵功能薄膜的制備需求；

•適用工藝場景：聚焦三大核心工藝 —— 掩膜層沉積（為光刻工藝提供圖形轉(zhuǎn)移的 “模板”，保障光刻精度）、鈍化層沉積（保護晶圓表面器件免受外界環(huán)境侵蝕，提升器件可靠性）、絕緣層沉積（實現(xiàn)器件不同導(dǎo)電區(qū)域間的電氣隔離，避免漏電或信號干擾），是半導(dǎo)體器件制造中多個關(guān)鍵工序的核心設(shè)備；

•適用領(lǐng)域延伸：廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域（支撐邏輯芯片、存儲芯片的核心薄膜制備）、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域（適配 GaAs 等化合物襯底的工藝需求，助力射頻、光電子器件制造）、功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（滿足 SiC 等功率器件的絕緣、鈍化層需求）、半導(dǎo)體照明領(lǐng)域（如 LED 芯片的薄膜制備，提升發(fā)光效率與穩(wěn)定性）、硅基微型顯示領(lǐng)域（為硅基 OLED、Micro LED 等微顯器件提供關(guān)鍵結(jié)構(gòu)層），同時也適用于高校、科研機構(gòu)的半導(dǎo)體材料與工藝研發(fā)，為技術(shù)創(chuàng)新提供設(shè)備支持。