技術參數:
型號 | KS-MSC-500S-RF | 載樣臺參數 | 尺寸 | φ150mm |
供電電壓 | AC220V,50Hz | 加熱溫度 | 500℃ |
整機功率 | 6KW | 控溫精度 | ±1℃ |
極限真空度 | 5x10-4Pa | 轉速 | 1-20rpm可調 |
氣體流量控制器 | 1路200sccm Ar; | 磁控濺射頭參數 | 數量 | 1個2”磁控濺射頭 |
真空泵 | 配有一套分子泵系統, 抽速600L/S | 冷卻方式 | 水冷,所需流速10L/min |
水冷機規格 | 10L/min流速的循環水冷機 |
膜厚儀 | 石英振動薄膜測厚儀一臺, 分辨率0.10A | 真空腔體 | 腔體尺寸 | φ300mmX340mm H |
腔體材料 | 不銹鋼 |
濺射電源 | 射頻電源,500W-1000W, 適用于非金屬鍍膜 | 觀察窗口 | φ100mm |
開啟方式 | 上頂開式,便于更換靶材 |
整機重量 | 350kg | 整機尺寸 | 1090mmX900mmX1250mm |
1. 多維參數可控
設備采用相位可控的高功率脈沖技術,不僅使靶材離化率提升 3 倍以上,更能通過調節離子能量(0V~1000V 偏壓)與入射角度,精準控制薄膜晶體結構、界面結合力與致密性。搭配 **≤1×10?2Pa 高真空本底 ** 與室溫 - 800℃可調基底加熱系統,可制備出無針孔、晶粒均勻的高性能薄膜,膜厚均勻性誤差控制在 ±3% 以內。
2. 三靶靈活配置,研發效率倍增
集成三個標準靶位(標配Ф50mm Au/Ag/Pt 貴金屬靶,支持異質靶材定制),無需破真空即可快速切換沉積模式:既能依次濺射形成多層功能膜,也能共濺射制備成分漸變的復合材料。例如在光電材料研發中,可通過調節 Ti、Si、N 靶功率比,實現 TiSiN 抗氧化薄膜的性能優化,較傳統單靶方案縮短研發周期 60%。
3. 智能系統加持,操作安全可靠
搭載全自動 PLC 控制系統與循環水冷系統,可一鍵完成預濺射(3min~30min)、沉積等流程,實時監控真空度、氣體流量(5Sccm~100Sccm)等關鍵參數。設備采用閉合磁場設計減少電子損耗,配合脈沖電源抑制電弧放電,確保 300 小時以上穩定運行,極大降低薄膜缺陷率。
三、全場景覆蓋:賦能多學科創新研究
?? 新材料研發
可制備納米功能薄膜、催化材料與傳感器敏感層,在高熵合金涂層研究中,通過三靶共濺射實現 5 種以上元素的精準配比,突破單靶成分調控局限。
?? 微納電子與光學
用于半導體器件電極制備、ITO 透明導電膜及光學濾光片研發,憑借低缺陷沉積技術,使器件擊穿電壓提升 40%,光學透過率達 95% 以上。
?? 生物醫學領域
定制抗菌涂層與生物傳感器界面,通過 Ag 靶與陶瓷靶協同沉積,實現薄膜生物相容性與抗菌性的優化平衡。
?? 教學與科研
適配物理、材料等學科實驗教學,直觀展示磁控濺射原理,同時滿足前沿課題需求,如非平衡磁場調控下的多孔薄膜制備。
四、設備價值:實驗室的創新基石
作為國產鍍膜設備代表,三靶磁控濺射鍍膜儀以 “精準調控 + 高效靈活” 的核心優勢,打破進口設備技術壟斷。其緊湊設計適配實驗室場景,定制化樣品臺可滿足不同基底尺寸需求,從基礎研究到中試開發賦能,助力科研人員加速實現技術突破與成果轉化。