氮化硅薄膜窗口

Name: 氮化硅薄膜窗口
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更新時間：2026-05-07 16:30:05瀏覽次數：397次

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產品簡介

氮化硅薄膜窗口

詳細介紹

X射線透射顯微成像/能譜（同步輻射）用氮化硅薄膜窗口
產品概述：
X-射線薄膜窗能夠實現軟X-射線（如真空紫外線）的zui大透射率。主要用于同步輻射X射線透射顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟（能量越低），穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態工作（即薄膜與光束成一定角度）時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的非常適合應用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學研究領域，例如，X-射線（上海光源透射成像/能譜線站）、TEM、SEM、IR、UV等。
現在提供X-射線顯微成像/能譜（同步輻射）用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：
外框尺寸（4種標準規格）:
5 mm x 5 mm （窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形）
7.5 mm x 7.5 mm （窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm）
10 mm x 10 mm （窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形）
邊框厚度： 200µm、381µm、525µm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產品（30-500nm），但要100片起訂。
本產品為一次性產品，不建議用戶重復使用，本產品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術指標：
透光度：
對于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對于軟X射線（例如碳邊吸收譜），100-200nm厚的是用戶*。

真空適用性：
真空適用性數據如下：　
薄膜厚度窗口面積壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm

表面平整度：
產品的表面平整性很穩定（粗糙度小于1nm），對于X射線應用沒有任何影響。

溫度特性：
產品是耐高溫產品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

化學特性：
是惰性襯底。

應用簡介和優點：
1、同步輻射X射線（紫外或極紫外）透射成像或透射能譜應用中是*的樣品承載體。
2、耐高溫、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜（薄膜直接沉積在窗口上）。
3、生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4、耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。

系列
SN-LDE-505-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-510-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 ，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-710-25 ，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 ，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 ，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 ，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 ，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 ，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 ，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
陣列系列
SN-AR-522-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 ，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm
SN-AR-1044-15 ，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
特殊定制產品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片

襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。