《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范》兩項(xiàng)性能測量方法和試驗(yàn)程序征求意見

　　【儀表網(wǎng) 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)】近日，國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范 第33部分：機(jī)械性能的測量方法和試驗(yàn)程序 應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)》《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范 第40部分：傳輸特性的測量方法和試驗(yàn)程序 衰減》編制完成并征求意見，時間截止到2023年5月23日。主要起草單位為中國信息通信科技集團(tuán)有限公司。
 

　　《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范 第33部分：機(jī)械性能的測量方法和試驗(yàn)程序 應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)》
 

　　本文件規(guī)定了五種確定應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)的主要試驗(yàn)方法,確立了有關(guān)石英光纖應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)測量的統(tǒng)一試驗(yàn)程序和技術(shù)要求。本文件適用于A1、A2、A3類多模光纖、B類和C類單模光纖的測量。
 

　　IEC對光纖應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)方法的標(biāo)準(zhǔn)做了更新，2008年以來，IEC 60793-1-33 Edition 2.0在2017年8月進(jìn)行了更新，新版標(biāo)準(zhǔn)中，適用范圍從B1類擴(kuò)大到全部B類單模光纖，且增加了C類單模光纖，更改了基準(zhǔn)試驗(yàn)方法的規(guī)定。為了確保國家標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)性,因此有必要對GB/T 15972.33——2008進(jìn)行修訂。
 

　　本文件代替GB/T 15972.33-2008《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第33部分:機(jī)械性能的測量方法和試驗(yàn)程序——應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù)》。本文件與GB/T 15972.33-2008相比，主要技術(shù)變化如下:
 

　　a)更改了“范圍”的適用光纖類型，增加了A3類多模光纖和C類單模光纖(見第1章，2008年版的第1章)﹔
 

　　b)更改了基準(zhǔn)試驗(yàn)方法，取消了軸向張力法作為基準(zhǔn)試驗(yàn)方法的規(guī)定，基準(zhǔn)試驗(yàn)方法待討論(見第4章，2008年版的第3章)﹔
 

　　c)更改了斷裂應(yīng)力的公式A.2、中值斷裂應(yīng)力隨恒定應(yīng)力速率變化的公式A.7、截距公式A.8和斷裂應(yīng)力對應(yīng)力速率的動態(tài)疲勞曲線圖A.4(見附錄A.5.3，2008年版的附錄A.5.3) ;
 

　　d)更改了中值斷裂應(yīng)力隨恒定壓板速度變化的公式B.5、截距公式B.6和動態(tài)疲勞數(shù)據(jù)圖B.3(見附錄B.5.2，2008年版的附錄B.5.2) ;
 

　　e)更改了線性回歸公式C.1和截距公式C.2(見附錄C.5.3，2008年版的附錄C.5.3);
 

　　f)更改了兩點(diǎn)彎曲靜態(tài)疲勞裝置示意圖D.1(見附錄D，2008年版的附錄D)
 

　　g)更改了動態(tài)應(yīng)力腐蝕敏感性參數(shù) na的數(shù)值算法的公式(見附錄F.2，2008年版的附錄F.2);
 

　　h)更改了計(jì)算斷裂應(yīng)力的方法(見附錄F.3，2008年版的附錄F.3) ;
 

　　i)更改了斷裂強(qiáng)度對“有效”斷裂時間的系列試驗(yàn)結(jié)果圖H.1和圖H.2(見附錄H，2008版的附錄H)。
 

　　《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范 第40部分：傳輸特性的測量方法和試驗(yàn)程序 衰減》
 

　　本文件規(guī)定了光纖的衰減特性的試驗(yàn)方法,確立了有關(guān)光纖衰減參數(shù)測量的統(tǒng)一試驗(yàn)程序和技術(shù)要求。本文件適用于對A類和B類光纖和光纜的衰減特性測量。
 

　　IEC對光纖衰減特性的標(biāo)準(zhǔn)做了更新，2001年以來，IEC 60793-1-40Edition 2.0在2019年3月進(jìn)行了更新,主要新增了B6類單模光纖測量和A4類多模光纖校準(zhǔn)的詳細(xì)要求。為了確保國家標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)性，有必要對GB/T 15972.40——2008進(jìn)行修訂。
 

　　本文件代替GB/T 15972.40-2008《光纖試驗(yàn)方法規(guī)范第40部分:傳輸特性和光學(xué)特性的測量方法和試驗(yàn)程序-衰減》。本文件與GB/T15972.40-2008相比，主要技術(shù)變化如下:
 

　　a)增加了光纖衰減均勻性的規(guī)定(見3.4和4.4);
 

　　b)增加了測量和試驗(yàn)的環(huán)境條件(見6);
 

　　c)增加了B6類光纖中濾除高階模細(xì)節(jié)規(guī)定(見A.2.2.4);
 

　　d)更改了A1類多模光纖注入條件的適用光纖類型，不限于漸變折射率型(見附錄A.2.3;見2008年版A.1.3);
 

　　e)增加了對A1類多模光纖衰減的測試長度細(xì)節(jié)規(guī)定(見A.2.3.1);
 

　　f)更改了A1類多模光纖光學(xué)注入規(guī)定(見A.2.3.2;見2008年版A.1.3.2g)增加了Al類多模光纖攪模器的示例(見A.2.3.3)；
 

　　h)更改了A2、A3、A4類多模光纖注入裝置的適用光纖類型，不限于突變折射率型(見A.2.4;見2008年版A.1.4);
 

　　i)增加了方法A中A4類多模光纖的校準(zhǔn)規(guī)定(見A.2.5.2);
 

　　j)增加了方法B的校準(zhǔn)規(guī)定(見B.2.3);
 

　　k)更改了方法C測試的細(xì)節(jié)規(guī)定，將注的內(nèi)容改為正文(見C.2.6，見2008年版C.1.5);
 

　　l)更改了方法C試樣處理細(xì)節(jié)規(guī)定，將注的內(nèi)容改為正文(見C.3，見2008年版C.2);
 

　　m)增加了方法C的校準(zhǔn)規(guī)定(見C.4.6);
 

　　n)增加了A1類短段多模光纖測量結(jié)果示例(見附錄E)。